GaN MOCVD: O Equipamento que Esta Empresa Foi Fundada para Construir

O que o MOCVD faz, em um parágrafo

Um reator MOCVD é o reator na linha de equipamentos que esta empresa foi fundada para construir — a etapa de equipamento que a cadeia publicada da empresa nomeia primeiro, antes do crescimento epitaxial em safira. A cadeia publicada da empresa vai de seu próprio equipamento MOCVD ao crescimento epitaxial em safira até a fabricação de chips e o encapsulamento.

O registro do programa

Por que um comprador de equipamento deve se importar com a linha de LED

A estrutura da Jason é específica: a empresa que constrói os reatores também opera uma linha de produção de LED UV construída em seu próprio equipamento em 2010. Para um comprador que está montando capacidade de epitaxia GaN ou UV profundo, esse é um contexto relevante — o construtor de equipamentos também é um operador de epitaxia ativo. Isso é declarado como estrutura, não como correspondência entre qualquer configuração de sistema atual e os dispositivos no catálogo de chips: as configurações são especificadas por projeto, e o que uma determinada configuração cultivará é estabelecido na troca de especificação desse projeto.

A quem esta linha serve

• Institutos de pesquisa e universidades estabelecendo capacidade de epitaxia GaN.
• Fabricantes de LED e semicondutores compostos adicionando capacidade de UV profundo ou GaN.
• Fabricantes de componentes avaliando integração vertical em sua própria epitaxia — a mesma etapa que a própria Jason deu em 2010.

As configurações atuais de sistema são especificadas por projeto, de acordo com o formato de wafer, o programa de camadas, a produtividade e os insumos de instalações que uma consulta declara. Os marcos da linha de produção acima são o histórico publicado do programa, não um substituto para uma discussão de configuração.

As páginas de equipamentos

• O reator MOCVD — o reator no próprio programa de equipamentos da empresa, e as gerações em seu registro publicado.
• epitaxia GaN — a própria etapa de crescimento: epitaxia em safira, e onde ela se situa na cadeia da empresa.
• O processo MOCVD — a etapa de crescimento na cadeia publicada, e os insumos com os quais uma configuração é especificada.

A sequência documentada por trás das duas linhas de produtos

O programa de equipamentos e o catálogo de componentes compartilham uma sequência documentada. A empresa foi fundada em 2001 para desenvolver equipamentos GaN MOCVD e concluiu seu primeiro sistema em 2002; a geração de 3 wafers veio em 2005 e a geração de 6 wafers em 2007, esta última registrada no histórico da empresa como projeto do programa nacional 863. Em 2009, a empresa se reestruturou com investimento do governo municipal de Qingdao e do distrito de Laoshan e trouxe uma equipe de doutores retornados do exterior. Em 2010, abriu sua linha de produção de LED UV em seu próprio equipamento, e os produtos de aplicação foram comercializados até 2012. Cada etapa está declarada no histórico publicado da empresa; o catálogo de componentes baseia-se nas etapas posteriores.

Uma nota sobre escala e franqueza

Os marcos publicados do programa são sistemas de plataforma multi-wafer — gerações de 3 wafers e depois de 6 wafers, as gerações documentadas do desenvolvimento de reatores da empresa. Separadamente, o histórico da empresa registra que sua linha de produção de LED UV foi construída em seu próprio equipamento em 2010; não especifica qual geração de reator essa linha utilizou. (O histórico da empresa registra essas gerações por wafers por execução; o formato de wafer para novas configurações é confirmado por projeto.) As configurações atuais para novas instalações são especificadas por projeto de acordo com o formato de wafer e o programa de camadas. Compradores que avaliam requisitos de formato maior ou de alta produtividade devem declará-los claramente na consulta — a conversa de configuração é o lugar onde a adequação da plataforma é estabelecida, honesta e detalhadamente.