Equipamento — Epitaxia GaN

Epitaxia GaN: A Etapa de Crescimento na Cadeia Publicada

Epitaxia é a etapa de crescimento na cadeia que a Jason publica: seu próprio equipamento GaN MOCVD, crescimento epitaxial em substrato de safira, fabricação de chips e depois encapsulamento — a sequência declarada no registro da própria empresa.

PROGRAMA DE EPITAXIAArte de banner da empresa com gráfico de globo de circuito
Arte do banner do site oficial da empresa.

O que é epitaxia, nesta cadeia

Na cadeia que a empresa publica, epitaxia é a etapa nomeada para crescimento em substrato de safira: segue o próprio equipamento MOCVD da empresa e precede a fabricação de chips. O wafer que sai desta etapa segue para a fabricação de chips, e o encapsulamento é a etapa que a cadeia nomeia depois.

A cadeia, como a empresa a publica

  • Equipamento: sistemas GaN MOCVD, a linha de produtos fundadora da empresa desde 2001.
  • Crescimento epitaxial: crescimento em substratos de safira, nos próprios reatores da empresa.
  • Fabricação de chips: a etapa nomeada em seguida na cadeia publicada, entre o crescimento epitaxial e o encapsulamento.
  • Encapsulamento: a etapa final na cadeia publicada.

A lista acima reproduz a cadeia como a empresa a publica. O registro por trás da etapa de crescimento — os próprios reatores da empresa e as gerações que ela registrou para eles — está declarado no histórico da empresa apresentado abaixo; o que esse registro estabelece para um modelo específico de chip ou encapsulamento é confirmado por modelo na troca de consulta.

O próprio histórico da empresa percorre esta etapa: em 2010, construiu uma linha de produção de LED UV em seu próprio equipamento MOCVD e produziu LEDs UV profundo de 280 nm nela, e seu histórico publicado registra que seus produtos de aplicação UV profundo alcançaram comercialização em 2012. Esse registro faz parte do histórico publicado do programa de equipamentos, declarado no registro da empresa em vez de inferido da lista de produtos.

A etapa de crescimento no registro da empresa

O registro publicado da empresa declara esta etapa em nível de programa: o crescimento ocorre nos próprios reatores MOCVD da empresa — a linha de produtos fundadora, desenvolvida desde 2001, com gerações registradas em 2002, 2005 e 2007 — e a própria linha de produção de LED UV da empresa opera nesse equipamento desde 2010. O que esse registro estabelece para um modelo específico de chip ou encapsulamento — quais números são registrados para ele e sob quais condições — é confirmado por modelo na troca de consulta, não inferido do histórico do programa. Como a própria etapa ocorre, execução por execução, é o processo MOCVD.

Capacidade de epitaxia, como uma compra

Qual compra um programa está fazendo — componentes da cadeia publicada da empresa, ou capacidade de epitaxia própria — é a primeira coisa que uma consulta de equipamento deve declarar, com formato de wafer, programa de camadas e produtividade ao lado. Uma consulta formulada em torno de capacidade de epitaxia é uma conversa sobre equipamento, especificada por projeto nessa troca.

A empresa vende wafers epitaxiais como produto?

O catálogo publicado abrange chips, encapsulamentos, módulos e equipamentos MOCVD. A cadeia de fabricação que a empresa publica é uma declaração separada: seu próprio equipamento GaN MOCVD, crescimento epitaxial em safira, fabricação de chips e encapsulamento — e epitaxia é a etapa de crescimento que essa cadeia nomeia. Um requisito formulado em torno de capacidade de epitaxia é uma conversa sobre equipamento — comece-a na página de equipamentos formulário.

Declarando uma consulta de epitaxia

Uma consulta que gira em torno desta etapa declara o formato e o carregamento do wafer, o programa de camadas — GaN, AlGaN ou uma pilha de pesquisa —, a produtividade que o sistema deve sustentar e as condições das instalações no local. O que uma configuração cultivará para esse programa é estabelecido por projeto na troca de configuração.

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Informe-nos o formato e o carregamento de wafer que você precisa, o programa de camadas que você almeja, a produtividade que o sistema deve sustentar e as condições das instalações em seu local. Configurações MOCVD para capacidade de epitaxia são especificadas por projeto.

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