Ce qu'est l'épitaxie, dans cette chaîne
Dans la chaîne que l'entreprise publie, l'épitaxie est l'étape nommée pour la croissance sur un substrat en saphir : elle suit l'équipement MOCVD de l'entreprise et précède la fabrication des puces. La plaquette qui sort de cette étape passe à la fabrication des puces, et l'encapsulation est l'étape que la chaîne nomme ensuite.
La chaîne, telle que l'entreprise la publie
- Équipement : systèmes GaN MOCVD, la ligne de produits fondatrice de l'entreprise depuis 2001.
- Croissance épitaxiale : croissance sur substrats en saphir, dans les réacteurs de l'entreprise.
- Fabrication des puces : l'étape nommée ensuite dans la chaîne publiée, entre la croissance épitaxiale et l'encapsulation.
- Encapsulation : l'étape finale de la chaîne publiée.
La liste ci-dessus reproduit la chaîne telle que l'entreprise la publie. L'historique derrière l'étape de croissance — les réacteurs de l'entreprise et les générations qu'elle a enregistrées pour eux — est énoncé dans l'historique de l'entreprise présenté ci-dessous ; ce que cet historique établit pour un modèle spécifique de puce ou de boîtier est confirmé par modèle dans l'échange de demande de renseignements.
L'historique propre de l'entreprise traverse cette étape : en 2010, elle a construit une ligne de production de LED UV sur son propre équipement MOCVD et y a produit des LED UV profonds à 280 nm, et son historique publié mentionne ses produits d'application UV profonds atteignant la commercialisation en 2012. Cet historique fait partie de l'historique publié du programme d'équipement, énoncé dans l'historique de l'entreprise plutôt que déduit de la liste de produits.
L'étape de croissance dans l'historique de l'entreprise
L'historique publié de l'entreprise énonce cette étape au niveau du programme : les croissances se déroulent dans les propres réacteurs MOCVD de l'entreprise — la ligne de produits fondatrice, développée depuis 2001, avec des générations enregistrées en 2002, 2005 et 2007 — et la propre ligne de production de LED UV de l'entreprise fonctionne sur cet équipement depuis 2010. Ce que cet historique établit pour un modèle spécifique de puce ou de boîtier — quels chiffres sont enregistrés pour lui, et dans quelles conditions — est confirmé par modèle dans l'échange de demande de renseignements, et non déduit de l'historique du programme. La façon dont l'étape elle-même se déroule, run par run, est le processus MOCVD.
La capacité d'épitaxie, en tant qu'achat
Quel achat un programme réalise — des composants issus de la chaîne publiée de l'entreprise, ou une capacité d'épitaxie qui lui est propre — est la première chose qu'une demande d'équipement doit indiquer, avec le format de plaquette, le programme de couches et le débit à côté. Une demande formulée autour d'une capacité d'épitaxie est une conversation d'équipement, spécifiée par projet dans cet échange.
L'entreprise vend-elle des plaquettes épitaxiales comme produit ?
Le catalogue publié couvre les puces, les boîtiers, les modules et l'équipement MOCVD. La chaîne de fabrication que l'entreprise publie est une déclaration distincte : son propre équipement GaN MOCVD, la croissance épitaxiale sur saphir, la fabrication des puces et l'encapsulation — et l'épitaxie est l'étape de croissance que cette chaîne nomme. Un besoin formulé autour d'une capacité d'épitaxie est une conversation d'équipement — commencez-la sur la page équipement.
Formuler une demande d'épitaxie
Une demande portant sur cette étape indique le format et le chargement de plaquettes, le programme de couches — GaN, AlGaN ou un empilement de recherche —, le débit que le système doit soutenir et les conditions d'installation sur le site. Ce qu'une configuration fera croître pour ce programme est établi par projet dans l'échange de configuration.
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Indiquez-nous le format et le chargement de plaquettes dont vous avez besoin, le programme de couches que vous visez, le débit que le système doit soutenir et les conditions d'installation sur votre site. Les configurations MOCVD pour une capacité d'épitaxie sont spécifiées par projet.
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