GaN MOCVD : l'équipement que cette entreprise a été fondée pour construire

Ce que fait le MOCVD, en un paragraphe

Un réacteur MOCVD est le réacteur de la ligne d'équipement que cette entreprise a été fondée pour construire — l'étape équipement que la chaîne publiée de l'entreprise nomme en premier, avant la croissance épitaxiale sur saphir. La chaîne publiée de l'entreprise va de son propre équipement MOCVD à la croissance épitaxiale sur saphir, puis à la fabrication des puces et à l'encapsulation.

L'historique du programme

Pourquoi un acheteur d'équipement devrait se soucier de la ligne de LED

La structure de Jason est spécifique : l'entreprise qui construit les réacteurs exploite aussi une ligne de production de LED UV construite sur son propre équipement en 2010. Pour un acheteur mettant en place une capacité d'épitaxie GaN ou UV profonds, c'est un contexte pertinent — le constructeur d'équipement est aussi un opérateur d'épitaxie en activité. C'est énoncé comme structure, et non comme correspondance entre une configuration système actuelle et les composants du catalogue de puces : les configurations sont spécifiées par projet, et ce qu'une configuration donnée fera croître est établi dans l'échange de spécification de ce projet.

À qui s'adresse cette ligne

• Instituts de recherche et universités établissant une capacité d'épitaxie GaN.
• Fabricants de LED et de semi-conducteurs composés ajoutant une capacité UV profonds ou GaN.
• Fabricants de composants évaluant une intégration verticale dans leur propre épitaxie — la même étape que Jason a elle-même franchie en 2010.

Les configurations système actuelles sont spécifiées par projet, en fonction du format de plaquette, du programme de couches, du débit et des données d'installation qu'une demande indique. Les jalons de la ligne de production ci-dessus sont l'historique publié du programme, et non un substitut à une discussion de configuration.

Les pages équipement

• Le réacteur MOCVD — le réacteur du propre programme d'équipement de l'entreprise, et les générations de son historique publié.
• épitaxie GaN — l'étape de croissance elle-même : l'épitaxie sur saphir, et sa place dans la chaîne de l'entreprise.
• Le processus MOCVD — l'étape de croissance dans la chaîne publiée, et les données par rapport auxquelles une configuration est spécifiée.

La séquence documentée derrière les deux gammes de produits

Le programme d'équipement et le catalogue de composants partagent une séquence documentée. L'entreprise a été fondée en 2001 pour développer des équipements GaN MOCVD et a achevé son premier système en 2002 ; la génération 3 plaquettes a suivi en 2005 et la génération 6 plaquettes en 2007, cette dernière enregistrée dans l'historique de l'entreprise comme projet du programme national 863. En 2009, l'entreprise s'est restructurée avec des investissements de la municipalité de Qingdao et du gouvernement du district de Laoshan et a intégré une équipe de docteurs revenus de l'étranger. En 2010, elle a ouvert sa ligne de production de LED UV sur son propre équipement, et les produits d'application ont été commercialisés en 2012. Chaque étape est énoncée dans l'historique publié de l'entreprise ; le catalogue de composants repose sur les dernières.

Une note sur l'échelle et la franchise

Les jalons publiés du programme sont des systèmes de plateforme multi-plaquettes — générations 3 plaquettes puis 6 plaquettes, les générations documentées du développement des réacteurs de l'entreprise. Séparément, l'historique de l'entreprise indique que sa ligne de production de LED UV a été construite sur son propre équipement en 2010 ; il ne précise pas quelle génération de réacteur cette ligne utilisait. (L'historique de l'entreprise enregistre ces générations en plaquettes par run ; le format de plaquette pour les nouvelles configurations est confirmé par projet.) Les configurations actuelles pour les nouvelles installations sont spécifiées par projet en fonction du format de plaquette et du programme de couches. Les acheteurs évaluant des exigences de format supérieur ou de haut débit doivent les énoncer clairement dans la demande — la conversation de configuration est le lieu où l'adéquation de la plateforme est établie, honnêtement et en détail.